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天天炫斗怎么上别人号: IGBT???

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源頭工廠
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  • 型號/規格:

    L6574D013TR

  • 品牌/商標:

    ST(意法半導體)

  • 環保類別:

    普通型

  • 封裝:

    SOP-16

  • 型號/規格:

    FF300R12KT4

  • 品牌/商標:

    INFINEON(英飛凌)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 規格參數:

    300A 1200V

  • 型號/規格:

    GD150HFL120C8S

  • 品牌/商標:

    SEMIKRON(西門康)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 種類:

    IGBT功率???/p>

  • 包裝方式:

    盒裝

  • 備注:

    專營一系列IGBT???/p>

  • 型號/規格:

    SKM400GM17E4

  • 品牌/商標:

    SEMIKRON(西門康)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 數量:

    240

  • 備注:

    原裝正品

  • 倉庫:

    深圳

  • 批次:

    18+

  • 型號/規格:

    2MBI300P-140-03

  • 品牌/商標:

    FUJITSU(富士通)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 1:

    功率???/p>

  • 2:

    全新原裝

  • 3:

    電源???/p>

  • 型號/規格:

    2MBI50F-050

  • 品牌/商標:

    FUJI

  • 環保類別:

    普通型

  • 型號/規格:

    FP50R12KT3

  • 品牌/商標:

    INFINEON(英飛凌)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 年份:

    新年份

  • 價格:

    面議

  • 型號/規格:

    DD200KB160

  • 品牌/商標:

    SanRex(三社)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 型號/規格:

    FS820R08A6P2B

  • 品牌/商標:

    INFINEON(英飛凌)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 標準包裝:

    原裝原包

  • IGBT:

    ??橄盜?/p>

  • 型號/規格:

    IKCS12G60DA

  • 品牌/商標:

    INFINEON

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 1:

    1

  • 型號/規格:

    VUO22-08NO1A

  • 品牌/商標:

    IXYS

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 品質:

    進口原裝現貨

  • 整流器:

    VUO22-08NO1A

  • 貨期:

    2-3天

  • 溫度:

    -40+85

  • 型號/規格:

    SKIIP2013GB172-4DL

  • 品牌/商標:

    INFINEON(英飛凌)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 年份:

    16+

  • 品質:

    原裝正品

  • 數量:

    236

  • 型號/規格:

    MSK4300-HD

  • 品牌/商標:

    MSK

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 電機電源電壓:

    75伏

  • 輸出開關能力:

    10安培

  • 批次:

    最新批次

  • 備注:

    進口原裝正品

  • 型號/規格:

    APTGT50SK170T1G

  • 品牌/商標:

    Microsemi

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO:

    1.7 kV

  • 在25 C的連續集電極電流:

    75 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • Pd-功率耗散:

    312 W

  • 型號/規格:

    FP40R12KE3

  • 品牌/商標:

    INFINEON(英飛凌)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 封裝:

    MODULE

  • 年份:

    新年份

  • 價格:

    面議

  • 型號/規格:

    CM1800DY-34S

  • 品牌/商標:

    Power Integrations

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 批次:

    18+

  • 數量:

    15

  • 封裝:

    Bulk

  • 型號/規格:

    96843LPAB_090901-R6

  • 品牌/商標:

    中興

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 型號/規格:

    TM130DZ-24

  • 品牌/商標:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 型號/規格:

    SKIIP38AC126V2

  • 品牌/商標:

    SEMIKRON(西門康)

  • 環保類別:

    無鉛環保型

  • 封裝:

    IGBT???/p>

  • 功率特性:

    大功率

  • 應用范圍:

    放大

  • 極性:

    NPN型

IGBT??樾幸底恃?/h2>

  • IGBT???/span>

    貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK IGBT???。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) ??槭粲謐ㄎひ滌τ枚⒌男灤退芰系繚茨?橄盜?,可為3 kW – 30 kW的工業和電源管理解決方案提供高成本效益、高集成度的功率轉換功能。這些穩健的模...

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    Littelfuse,Inc.(NASDAQ:LFUS)今天宣布推出IGBT??楣β拾氳繼宀紛楹系淖钚虜廢盜小狹G12600WB-BR2MM。相比該產品組合之前產品的最高額定電流(450A),新型半橋IGBT??橄盜校?200V,600A)可

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    TDK集團推出新型愛普科斯(EPCOS)直流支撐電容器。該元件專為英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)HybridPACK?1-DC6IGBT??槎杓?,采用多觸點結構,具備尺寸大小與IGBT??榫菲ヅ淶牧瞿趕叨俗?。其優異

什么是IGBT???

  •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區(包括P+ 和P 一區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區( Subchannel region )。而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極晶體管,起發射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導調制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態電壓。
  • IGBT???  onload=

IGBT??榧際踝柿?/h2>

  • IGBT???/span>封裝流程原理圖

    IGBT??櫸庾笆墻喔鯥GBT集成封裝在一起,以提高IGBT??櫚氖褂檬倜涂煽啃?,體積更小、效率更高、可靠性更高是市場對IGBT??櫚男棖笄魘?,這就有待于IGBT??櫸庾凹際醯目⒑馱擻?。目前流行的IGBT??櫸庾靶問接幸咝?、焊針型、平板式、圓盤式四種,常見的??櫸庾凹際跤瀉芏?,各生產商...

  • IGBT???/span>特點介紹

    如今節能的重要性日益顯著,將IGBT??橛米骺仄骷撓τ昧煊蛞膊歡賢卣?。為提高電能變換器的效率,研究者提出了很多新型拓撲電路,因而市場上對IGBT??櫚男棖笠菜嬤歡嚇噬?。另一方面,由于IGBT的性能已經接近“硅限”,所以需要一種面向應用的IGBT??檣杓?。就是說,我們要專門為這些電...

  • IGBT???/span>使用中的注意事項

    由于IGBT??槲狹OSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:   在使用??槭?,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸??槎俗郵?,要先...

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